| 气路环节 | 污染风险 | 产品方向 |
|---|---|---|
| 载气(H₂ / N₂) | 水氧杂质导致外延层缺陷、发光效率下降 | GateKeeper® 纯化器(点供或厂务级),出口 pptV 级水氧 |
| 氢化物(NH₃ / AsH₃ / PH₃) | 颗粒进入反应腔造成外延缺陷 | 全金属镍膜过滤器(Wafergard® NF 系列),耐反应性气体 |
| MO 源管路(TMGa / TMAl / TMIn 等) | 颗粒与分解产物 | 全金属过滤器,耐高温版本可选,靠近源柜或设备入口安装 |
| 腔体排气 / 尾气 | 压力波动扰动、颗粒回流 | 排气过滤与扩散部件按工况配置 |
MOCVD 外延对载气中的 H₂O 和 O₂ 极为敏感:ppb 级水氧即可造成 GaN/AlGaN 层缺陷密度上升、掺杂异常与波长漂移。气源纯度(如 5N/6N)不等于使用点纯度——管路施工残留、接头微漏与部件析出都会引入杂质,因此在设备入口配置点供纯化器是常见做法,可将水氧稳定控制在 pptV 级。
Wafergard 气体颗粒过滤产品线。
GateKeeper 与 MegaTorr 痕量杂质去除产品线。
水分、腐蚀与二次金属污染的控制方法。
气体与化学品供应系统工程。
配套流体部件。